Мемристор

Мемристор
	Мемристор
	концептуална схема
Вид	пасивен
Изобретен	Леон Чуа (Leon Chua), 1971 г.
Символично означение
	Мемристор в Общомедия

Мемристор (на английски: memristor) е електронен пасивен елемент, като названието му идва от комбинирането на „memory“-памет и „resistor“ – резистор). Неговото основно свойство е да изменя съпротивлението си в зависимост от протичащия през него електричен заряд. Тази зависимост е нелинейна и се проявява най-силно в наномащаби. Може да бъде разглеждан и като четвърти клас електронна схема сред основните пасивни елементи: резистор, кондензатор и индуктивен елемент.

История

Изследванията за създаване на елементи с подобно действие датират още от законите на Фарадей 1808.

Елементът е изобретен през 1971 от Леон Чуа (Leon Chua))^[1]. В самото начало е използван само в няколко примерни схеми. По-късно елементът се използва в специални схеми, като чрез него се реализират различни комбинации между съпротивление, електрическо напрежение и електричен заряд.

През 2008 г. американската компания Hewlett-Packard създава лабораторен образец. Според заявления на фирмите Hynix и Hewlett-Packard, технологията вече е готова за производство на мемристори. Отначало се съобщава, че памети на базата на мемристори ще се появят през 2013 г.^[2], но по-късно пускането им е отложено за 2014 г.^[3]^[4]

Теория

Дефиниран е като нелинеен елемент и се определя връзката между магнитния поток и електричния заряд. Измервателните единици на елемента са мемристенз и се измерва (Wb/C, (вебер за кулон) или ом) с диференциално уравнение M = dΦm / dq. Принципната волт-амперна характеристика на елемента е деформиран хистерезис.

Принципна волт-амперна характеристика

Видове мемристори

Молекулярна и йонна мемристорна система

мемристори от титанов диоксид
Полимерни мемристори
Манганатни мемристорни системи
Резонансно-тунелни мемристори
Силициево-оксидни мемристори

Спин базиран и магнитна мемристорна система

Спинтроник мемристори

Терминални мемристори

^{Този раздел е празен или е мъниче. Можете да помогнете на Уикипедия, като го разширите.}

Приложение

Елементът може да се използва като материал за изработване на носители на информация (електрически сигнали) или компютърна памет.

Учените Massimiliano Di Ventra (Масимилияно Ди Вентра), Pershin(Першин) и Chua (Чуа) разработват елементите Мемкондензатор и Меминдуктор въз основа на мемристорната система.

Вижте също

Общомедия

Общомедия разполага с мултимедийно съдържание за

Мемристор.

Източници

↑ Chua, Leon O, "Memristor—The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507 – 519.
↑ HP, Hynix to launch memristor memory 2013 // EETimes, Peter Clarke, 2011-10-06
↑ Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти Архив на оригинала от 2017-05-18 в Wayback Machine. // IXBT, 28 септември 2012
↑ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet // ZDNet, 10 юли 2012

Външни препратки

Официален уебсайт-английски език

[1] Chua, Leon O, "Memristor—The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507 – 519.

[2] HP, Hynix to launch memristor memory 2013 // EETimes, Peter Clarke, 2011-10-06

[3] Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти Архив на оригинала от 2017-05-18 в Wayback Machine. // IXBT, 28 септември 2012

[4] Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet // ZDNet, 10 юли 2012

[1]

[2]

[3]

[4]