90 nanòmetres

90 nanòmetres (90 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 90 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de $90\simeq {\frac {130}{\sqrt {2}}}$. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 165 àtoms de llargada.

Fig.1 Exemple de tecnologia de 90 nm : Intel Celeron D

Tecnologia	Any
10 um	1971
6 um	1974
3 um	1977
1,5 um	1982
1 um	1985
800 nm	1989
600 nm	1994
350 nm	1995
250 nm	1997
180 nm	1999
130 nm	2001
90 nm	2004
65 nm	2006
45 nm	2008
32 nm	2010
22 nm	2012
14 nm	2014
10 nm	2017
7 nm	2018
5 nm	2020

Tecnologia emprada

• Tecnologia de tensió de porta de 1,8V.
• Tecnologia de litografia millorada.

Processadors

Fabricant	Data	CPU	Notes
IBM	2004	PowerPC G5, Cell
Intel	2004	Pentium 4, D, M, Xeon
AMD	2004	Athlon 64, Sempron, Turion, OPteron

Fabricant	Intel		TSMC		Samsung		Fujitsu		IBM / Toshiba / Sony / AMD / Chartered		Motorola		TI
Nom del procés	P1262						CS-100 / CS-101				HiPerMOS 8
Primera producció	2002		2003		2003		2004		2003		2004		2005
Tipus	Bulk								PDSOI				Bulk
Oblia	300mm
Capes de Metal	7						10						9
	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ	Valor	130 nm Δ
Pas de contacte de porta	260 nm	0.82x	240 nm	0,77x	245 nm	0,70x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Pas de connexió	220 nm	0.63x	240 nm	0,71x	245 nm	0,70x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Cel·lula 1 bit de RAM	1,0 µm²	0.50x	0,999 µm²	0,47x	0,999 µm²	?x	1,07 µm²	0,54x	0,999 µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x
Cel·lula 1 bit de DRAM					0,275 µm²				0,19 µm²	?x

Vegeu també

• Circuit integrat
• Tecnologia litogràfica