Datei:Chemical-mechanical polishing (CMP-108, conditioner).jpg
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| Beschreibung |
English: Pad conditioner (Chiaping model 108) for the chemical-mechanical polishing (CMP), which removes material from uneven topography on a wafer surface until a flat surface is created.
Deutsch: Pad-Konditioner (Chiaping Modell 108) für das chemisch-mechanische Polieren (CMP), CMP entfernt Material auf einer Wafer-Oberfläche und glättet somit eine unebenen Topographie. |
| Datum | |
| Quelle | CMP-108 |
| Urheber | cpxmn |
See description under [1]
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Diese Bilddatei wurde ursprünglich auf Flickr durch cpxmn in https://www.flickr.com/photos/22041495@N02/2126608662 hochgeladen. Sie wurde am 12. April 2010 durch den FlickreviewR-Bot geprüft und die Lizenzierung der Datei unter den Bedingungen von cc-by-sa-2.0 wurde bestätigt. |
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| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 16:53, 12. Apr. 2010 | | 1.024 × 768 (359 KB) | Cepheiden | {{Information |Description={{en|CMP CHEMICAL MECHANICAL POLISHING removes material from uneven topography on a wafer surface until a flat surface is created.}} |Source=[http://www.flickr.com/photos/22041495@N02/2126608662/ CMP-108] |Date=2005-08-25 14:10 |
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