Fail:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png

Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png (768 × 576 pikslit, faili suurus: 650 KB, MIME tüüp: image/png)

Lühikirjeldus

Kirjeldus

Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
Kuupäev 13. september 2005 (algne üleslaadimiskuupäev)
Allikas Allikas masinloetaval kujul ära toomata. Oletatavalt üleslaadija oma töö (autoriõiguse ütluse järgi).
Autor Autor masinloetaval kujul ära toomata. Oletatavalt Twisp (autoriõiguse ütluse järgi).

Litsents

Public domain Selle teose autoriõiguste valdajana annan selle teose avalikku omandisse. See kehtib üleilmselt.
Kui see pole mõnes riigis õiguslikult võimalik:
Annan kõigile õiguse seda teost kasutada ükskõik mille jaoks, ilma ühegi tingimuseta, kui seadus neid just ei sea.

Pealdised

Lisa üherealine seletus sellest, mida fail esitab

Selles failis kujutatud üksused

kujutab

13. september 2005

Faili ajalugu

Klõpsa kuupäeva ja kellaaega, et näha sel ajahetkel kasutusel olnud failiversiooni.

Kuupäev/kellaaegPisipiltMõõtmedKasutajaKommentaar
viimane13. september 2005, kell 02:15Pisipilt versioonist seisuga 13. september 2005, kell 02:15768 × 576 (650 KB)Twisp* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho

Seda faili kasutab järgmine lehekülg:

Globaalne failikasutus

Järgmised muud vikid kasutavad seda faili:

  NODES