ג'ורג' סמית'

ג'ורג' אלווד סמית'
George Elwood Smith
לידה	10 במאי 1930 (בן 94); וייט פליינס, ארצות הברית
ענף מדעי	פיזיקה
מקום מגורים	ארצות הברית
מקום לימודים	אוניברסיטת פנסילבניה (1955); אוניברסיטת שיקגו (1959) ;
מוסדות	מעבדות נוקיה בל
פרסים והוקרה	פרס המלכה אליזבת להנדסה (2017); פרס נובל לפיזיקה (2009); היכל התהילה הלאומי לממציאים (2006); פרס צ'ארלס סטארק דרייפר (2006); מדליית אדווין ה. לנד (2001); פרס לזכר מוריס ליבמן (1974); מדליית סטיוארט באלנטין (1973) ;
תרומות עיקריות
	היה שותף בפיתוח ה-CCD

ג'ורג' אלווד סמית' (באנגלית: George Elwood Smith; נולד ב-10 במאי 1930) הוא פיזיקאי אמריקאי, זוכה פרס נובל לפיזיקה לשנת 2009 על פיתוח ה-CCD^[1] וזוכה פרס המלכה אליזבת להנדסה לשנת 2017.

סמית' נולד בווייט פליינס שבניו יורק. את שירותו הצבאי עשה בצי האמריקאי. את התואר הראשון הוא קיבל בשנת 1955 מאוניברסיטת פנסילבניה ואת הדוקטורט קיבל בשנת 1959 מאוניברסיטת שיקגו. משנת 1959 ועד פרישתו בשנת 1986 עבד במעבדות בל בניו ג'רזי, שם הוא עמד בראש המחקר של התקני לייזר מוליכים למחצה. במהלך הקריירה שלו הגה פטנטים רבים, הבולט בהם הוא התקן ה-VLSI. בשנת 1969 הגה ביחד עם וילארד בויל את ה-CCD, הם זכו על המצאה זו בפרס נובל לפיזיקה לשנת 2009.

כיום הוא מתגורר עם אשתו ג'נט בניו ג'רזי.

ראו גם

מדיה וקבצים בנושא ג'ורג' סמית' בוויקישיתוף

תרומות עיקריות

לידה	10 במאי 1930 (בן 94) וייט פליינס, ארצות הברית
ענף מדעי	פיזיקה
מקום מגורים	ארצות הברית
מקום לימודים	אוניברסיטת פנסילבניה (1955) אוניברסיטת שיקגו (1959)
מוסדות	מעבדות נוקיה בל
פרסים והוקרה	פרס המלכה אליזבת להנדסה (2017) פרס נובל לפיזיקה (2009) היכל התהילה הלאומי לממציאים (2006) פרס צ'ארלס סטארק דרייפר (2006) מדליית אדווין ה. לנד (2001) פרס לזכר מוריס ליבמן (1974) מדליית סטיוארט באלנטין (1973)
היה שותף בפיתוח ה-CCD