Revue de Physique Appliquée

Nature of defects in heavily Te-doped GaAs p. 475

D.L. Williamson, M. Kowalchik, A. Rocher et P. Gibart

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Caractérisation de la stabilité d'un élément piézoélectrique du type PZT sous compression uniaxiale rapide p. 479

H. Ohanessian, P. Gonnard, M. Troccaz, L. Eyraud et P. Eyraud

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Détermination expérimentale des paramètres des transistors MOS p. 487

P. Rossel, H. Tranduc, J.L. Sanchez et A. Bellaouar

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Etude expérimentale de la zone pariétale d'un écoulement turbulent instationnaire en conduite bidimensionnelle p. 495

J. Tartarin

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Calcul de la sensibilité et de la constante de temps d'une thermopile à éléments en couches minces et structure radiale p. 507

A. Septier et C. Machet

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Appareillage d'épitaxie de composés semiconducteurs par transport réactif à courte distance p. 515

J.M. Laroche et G. Cohen-Solal

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Préparation d'échantillons de carbone pour sources d'ions à pulvérisations p. 519

I. Brissaud, J.P. Mouffron, J.M. Garnier et J.L. Michelot

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Revue de Livres p. 523

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