සිලිකන්
සිලිකන් යනු පරමාණුක ක්‍රමාංකය 14 වූ මූලද්‍රව්‍යයයි. එහි රසායනික සංකේතය Si ය. සිලිකන් ඒක පරමාණුක ඝණයකි. ආවර්තිතා වගුවේ IV (4) කාණ්‍ඩයේ සිටී. සිලිකන් හි ඉලෙට්‍රොනික වින්‍යාසය 2,8,4 වේ. ආවර්තය 3 වන අතර කාන්ඩය IV වේ. සාදන ප්‍රධාන අයනය - හෝ + 4 වේ. ප්‍රධාන සංයුජතාව 4 වේ.
| |||||||||||||||||||||||||||||||
| මුහුණුවර | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
crystalline, reflective with bluish-tinged faces  Spectral lines of Silicon | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ප්‍රධාන ගුණ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| නම, සංකේතය, ක්‍රමාංකය | silicon, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| උච්චාරණය | /ˈsɪl | ||||||||||||||||||||||||||||||
| මූලද්‍රව්‍ය කාණ්ඩය | metalloid | ||||||||||||||||||||||||||||||
| කාණ්ඩය, ආවර්තය, ගොනුව | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
| සාපේක්ෂ පරමාණුක ස්කන්ධය | 28.0855(3) g·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ඉලෙක්ට්‍රෝන වින්‍යාසය | [Ne] 3s2 3p2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| කවච වල ඇති ඉලෙක්ට්‍රෝන සංඛ්‍යාව | 2, 8, 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ද්‍රව්‍යමය ගුණ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| අවධිය | solid | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ඝනත්වය (කා.උ. දී) | 2.3290 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ද්‍රවාංකයේ දී ද්‍රව ඝනත්වය | 2.57 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ද්‍රවාංකය | 1687 K, 1414 °C, 2577 °F | ||||||||||||||||||||||||||||||
| තාපාංකය | 3538 K, 3265 °C, 5909 °F | ||||||||||||||||||||||||||||||
| විලයන එන්තැල්පිය | 50.21 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| වාෂ්පීභවන එන්තැල්පිය | 359 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| විශිෂ්ට තාප ධාරිතාව | (25 °C) 19.789 J·mol−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| වාෂ්ප පීඩනය | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
| පරමාණුක ගුණ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ඔක්සිකරණ අංකය | 4, 3 , 2 , 1[1] -1, -2, -3, -4 (amphoteric oxide) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| විද්‍යුත් ඍණතාව | 1.90 (පෝලිං පරිමාණයෙන්) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| අයනීකරණ ශක්ති | 1වන: 786.5 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2වන: 1577.1 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3වන: 3231.6 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| පරමාණුක අරය | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| සහසංයුජ අරය | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| වැන්ඩ වාල්ස් අරය | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ප්‍රකීර්ණක | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ස්එටික ආකෘතිය | diamond cubic | ||||||||||||||||||||||||||||||
| චුම්බකත්වය | diamagnetic[2] | ||||||||||||||||||||||||||||||
| විද්‍යුත් ප්‍රතිරෝධිතාව | (20 °C) 103 [3]Ω·m | ||||||||||||||||||||||||||||||
| තාප සන්නායකතාව | (300 K) 149 W·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| තාප ප්‍රසාරණය | (25 °C) 2.6 µm·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ධ්වනි වේගය (තුනී දණ්ඩක් හරහා) | (20 °C) 8433 m/s | ||||||||||||||||||||||||||||||
| යං මාපාංකය | 185[3] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ව්‍යාකෘති මාපාංකය | 52[3] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| නිකර මාපාංකය | 100 GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| පොයිසෝන් අනුපාතය | 0.28[3] | ||||||||||||||||||||||||||||||
| මෝ දැඩියාව | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAS ලේඛනගත අංකය | 7440-21-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 300 K දී කලාප හිඩැස් ශක්තිය | 1.12 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ඉතාමත් ස්ථායී සමස්ථානික | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ප්‍රධාන ලිපිය: silicon වල සමස්ථානික | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
ඉතිහාසය
සංස්කරණයසිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් හෙවත් සිලිකාවලට (SiO2) ආම්ලික ලක්ෂන ඇති බව 1660 ටැකනියස්(Tachenius) විසින් පෙන්වා දෙන ලදි. සිලිකා යනු එතෙක් සොයා නොගනු ලැබු මූලද්‍රවයක ඔක්සයිඩය යැයි ලැවොසියර් සිතිය. සිලිකන් ෆ්ලුවෝරයිඩ් SiF4 නම් වායුමය සංයෝගය තුල පොටැසියම් රත් කිරිමේන් 1809-11 පමන ගේ ලුසැක් සහ තේනාඩ් විසින් දළ සිලිකන් පිළියෙල කළහ. සිලිකන් අලෝහයක් භව ඩේවි හෙළි කලේය. සිලිකන් සහ කාබන් අතර ඇති කිට්ටු සමානත්වයද ඔහු පෙන්වාදුනි.
පිහිටිම
සංස්කරණයමුක්ත මූලද්‍රවය වශයෙන් සිලිකන් ස්වභාවයෙන් නොපිහිටයි. එහෙත් වැලි , ගිනිගල්,මැටි ආදි සිලිකා සංයෝගත් සිලිකාත් කොතරම් බහුලද යත් පෘථියේ කබොලේ බරෙන් හතරෙන් 1 පමණ සිලිකන් වලින් සමන්විත වෙයි.
පිලියෙල කිරිම
සංස්කරණයසිලිකන් ටෙට්‍රප්ලුවොරයිඩ් තුල සෝඩියම් හෝ පොටැසියම් ලෝහය රත් කිරිමෙන් අස්ඵටික සිලිකන් සදාගත් හැක.
- SiF4 + 4 K(s) → Si(s) + 4 KF(g)
ගුණ
සංස්කරණයඅස්ඵටික සිලිකන් වූකලි, වාතයේ හෝ ඔක්සිජන් තුල හෝ ප්‍රබල ලෙස රත් කල විට සිලිකා ලබදෙමින් දැවෙන දුඹුරු පැහැති කුඩකි. ස්වේත තප්ත අවස්ථාවේදි හුමාලය වියෝජන කරයි. උණු දාහක සාන්ද්‍ර ක්ෂාර ද්‍රාවන තුල සිලිකන් පහසුවේන් ද්‍රාවණය වී සිලිකේට සාදයි.අස්ඵටික රූපි සිලිකන් වල ලෝහමය පෙනුමක් ඇත. එහෙත් එය ඉතා දුර්වල විද්‍යුත් සන්නායකයකි. අම්ල වලට ඔරොත්තු දෙන වානේ සෑදිමට සිලිකන් යොදාගනු ලැබේ.
සිලිකන් සංයෝග
සංස්කරණයසිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් (සිලිකා) (SiO(2))
සංස්කරණයසිලිකා අස්ඵටික අකාරයෙන්, ගිනිගල් ,උපල(Opal) සහ කියල්ගුවර් (kieselguhr) වහයෙන්ද , තිරුවාණ,ට්‍රිඩිමයිට් (tridymite), සහ ක්‍රිස්ටොබලයිට් (cristobalite) යන ස්ඵටික රූපි අකාරයෙන්ද ස්වභාවිකව හට ගනි. සංශුද්ධ පාරදුශ්‍ය අවර්ණ තිරුවාන ආකර ස්ඵටික ලෙස හැඳින්වේ. තරමක් සියුම්ව වෙන්ව ඇති විට වැලි යැයි හැඳින්වේ. මැංගනීස් හෝ යකඩ හෝ අංශු මාත්‍ර වලින් වර්ණවත් වූ විට ට් අමතේස නම් වේ.
මූලාශ්‍ර
සංස්කරණය- ^ R. S. Ram et al. "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" J. Mol. Spectr. 190, 341–352 (1998)
- ^ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Handbook of Chemistry and Physics 81st edition, CRC press.
- ^ a b c d http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si
External links
සංස්කරණය
