EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) je elektricky mazateľná pamäť ROM.

Princíp činnosti je podobný ako u EPROM – pamäťovým prvkom je izolované (plávajúce) hradlo do ktorého sú nainjekované nosiče náboja cez izolačnú oxidovú vrstvu, oxid je tu však tenší a prenos náboja je šetrnejší a je možný v oboch smeroch. Napätia potrebné pre tento jav sú väčšinou generované obvodmi integrovanými na čipe s pamäťou a navonok je pamäť programovaná pri bežnom napájacom napätí. Programovanie i mazanie trvá niekoľko milisekúnd, čítacie doby sú podobné ako u EPROM (cca 100ns). EEPROM znesú typicky 1E4 až 1E5 prepisov (mazacích a programovacích cyklov) a doba uchovania údajov býva pri bežných teplotách (t. j. do 80 °C) zaručovaná na 10 – 20 rokov.

EEPROM predstavuje najjednoduchšie riešenie permanentnej pamäte ROM s možnosťou príležitostných zmien. Možno do nej zapisovať činnosťou programu mikropočítača. Zápis vyžaduje čas rádovo milisekundy, kým čítanie rádovo nanosekundy, preto sa nemôže použiť ako pamäte RWM. Bývajú vyrobené technológiou CMOS.

Pozri aj

upraviť
  NODES
os 14